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C+‐energy‐dependent residual ion damage in GaAs:C grown by the low‐energy ion‐beam doping method

von Iida, Tsutomu; Makita, Yunosuke; Shima, Takayuki ; et al.
veröffentlicht In: Journal of Applied Physics 1996

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Residual ion damage in GaAs:C prepared by combined ion beam and molecular beam epitaxy

von Iida, Tsutomu; Makita, Yunosuke; Horn, Joachim ; et al.
veröffentlicht In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam... 1997

Artikel

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