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Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung
Gespeichert in:
Personen und Körperschaften: | |
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Titel: | Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung/ Martin Neuburger |
Hochschulschriftenvermerk: | Ulm, Univ. Diss., 2006 |
Medientyp: | E-Book Hochschulschrift |
Sprache: | Deutsch |
veröffentlicht: |
2006
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Schlagwörter: | |
Quelle: | Verbunddaten SWB Lizenzfreie Online-Ressourcen |
Umfang: | Online-Ressource |
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