Reflectance anisotropy as a surface science probe of the growth of InAs on (001) GaAs by molecular beam epitaxy

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In: Applied Physics Letters, 63(1993), 4, S. 503 - 505
Format: E-Artikel
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: AIP Publishing
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ISSN: 0003-6951
1077-3118
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