Reflectance anisotropy as a surface science probe of the growth of InAs on (001) GaAs by molecular beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Armstrong, S. R., Pemble, M. E., Taylor, A. G., Fawcette, P. N., Neave, J. H., Joyce, B. A., Zhang, J.
In:	Applied Physics Letters, 63, 1993, 4, S. 503-505
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)