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Reflectance anisotropy as a surface science probe of the growth of InAs on (001) GaAs by molecular beam epitaxy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 63, 1993, 4, S. 503-505 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |