Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations of germanium growth on Si(100) using gas source molecular beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Xie, M. H., Zhang, J., Mokler, S. M., Fernández, J. M., Joyce, B. A.
In:	Applied Physics Letters, 65, 1994, 24, S. 3066-3068
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)