Impacts of a polycrystalline-silicon buffer layer on the performance and reliability of strained n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with SiN capping

1. Verfasser:
Weitere Verfasser: ; ;
In: Applied Physics Letters, 90(2007), 12, S. 122110
Format: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: AIP Publishing
Schlagworte:
ISSN: 0003-6951
1077-3118
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online