Polarization mechanism and quasi-electric-double-layer modeling for indium-tin-oxide electric-double-layer thin-film-transistors

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Dai, Mingzhi, Xu, Wangying
In:	Applied Physics Letters, 100, 2012, 11
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)