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Reply to ’’Comment on ’Comparison of experimental and theoretical carrier concentrations in heavily doped n-type silicon’ ’’
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 48, 1977, 8, S. 3620-3620 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |