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Buchumschlag von Reply to ’’Comment on ’Comparison of experimental and theoretical carrier concentrations in heavily doped n-type silicon’ ’’
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Reply to ’’Comment on ’Comparison of experimental and theoretical carrier concentrations in heavily doped n-type silicon’ ’’

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Finetti, M., Susi, E.
In: Journal of Applied Physics, 48, 1977, 8, S. 3620-3620
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
AIP Publishing
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