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Influence of impurities and crystalline defects on electron mobility in heavily doped silicon
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Journal of Applied Physics, 50, 1979, 3, S. 1381-1385 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |