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Buchumschlag von Influence of impurities and crystalline defects on electron mobility in heavily doped silicon
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Influence of impurities and crystalline defects on electron mobility in heavily doped silicon

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Finetti, M., Galloni, R., Mazzone, A. M.
In: Journal of Applied Physics, 50, 1979, 3, S. 1381-1385
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
AIP Publishing
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