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Optical determination of free-carrier concentration in epitaxial layers of n-type silicon grown on N+ or N− substrates
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 58, 1985, 12, S. 4733-4735 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |