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Correlation between dislocation effects on carrier concentration and growth conditions for molecular-beam epitaxially grown GaAs
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | |
In: | Journal of Applied Physics, 61, 1987, 1, S. 365-371 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |