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Buchumschlag von Correlation between dislocation effects on carrier concentration and growth conditions for molecular-beam epitaxially grown GaAs
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Correlation between dislocation effects on carrier concentration and growth conditions for molecular-beam epitaxially grown GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Shinohara, Masanori
In: Journal of Applied Physics, 61, 1987, 1, S. 365-371
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
AIP Publishing
Schlagwörter: