800 meV localization energy in GaSb/GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum dots

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Nowozin, T., Bonato, L., Högner, A., Wiengarten, A., Bimberg, D., Lin, Wei-Hsun, Lin, Shih-Yen, Reyner, C. J., Liang, Baolai L., Huffaker, D. L.
In:	Applied Physics Letters, 102, 2013, 5
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)