Strong carrier localization effect in carrier dynamics of 585 nm InGaN amber light-emitting diodes

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	Li, Panpan, Li, Hongjian, Li, Zhi, Kang, Junjie, Yi, Xiaoyan, Li, Jinmin, Wang, Guohong
In:	Journal of Applied Physics, 117, 2015, 7
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy