Influence of thermal losses at the gate contact of Si nanowire transistors: A phenomenological treatment in quantum transport theory

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Rhyner, Reto, Luisier, Mathieu
In:	Applied Physics Letters, 110, 2017, 10
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)