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Influence of thermal losses at the gate contact of Si nanowire transistors: A phenomenological treatment in quantum transport theory
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Applied Physics Letters, 110, 2017, 10 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |