The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment

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In: Journal of Applied Physics, 127(2020), 2, S. 025704
Format: E-Artikel
Sprache: Englisch
veröffentlicht: AIP Publishing
Schlagworte:
ISSN: 0021-8979
1089-7550
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