Renz, A B.(2020). The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment. Journal of Applied Physics, 127(2),
MLA ZitierstilRenz, A. B. "The Improvement of Mo/4H-SiC Schottky Diodes Via a P2O5 Surface Passivation Treatment". Journal of Applied Physics, 127.2 ( 2020 )
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