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The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , , , , , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 127, 2020, 2 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |