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Buchumschlag von The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment
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The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Renz, A. B., Shah, V. A., Vavasour, O. J., Bonyadi, Y., Li, F., Dai, T., Baker, G. W. C., Hindmarsh, S., Han, Y., Walker, M., Sharma, Y., Liu, Y., Raghothamachar, B., Dudley, M., Mawby, P. A., Gammon, P. M.
In: Journal of Applied Physics, 127, 2020, 2
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
AIP Publishing
Schlagwörter: