Transient enhanced diffusion of dopants in silicon induced by implantation damage

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Applied Physics Letters
Personen und Körperschaften:	Angelucci, R., Negrini, P., Solmi, S.
In:	Applied Physics Letters, 49, 1986, 21, S. 1468-1470
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	AIP Publishing
Schlagwörter:	Physics and Astronomy (miscellaneous)