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Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Semiconductor Science and Technology |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 17, 2002, 1, S. 39-46 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |