Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Semiconductor Science and Technology
Personen und Körperschaften:	Agert, Carsten, Gladkov, Peter S, Bett, Andreas W
In:	Semiconductor Science and Technology, 17, 2002, 1, S. 39-46
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials