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A refined forward gated-diode method for separating front channel hot-carrier-stress induced front and back gate interface and oxide traps in SOI NMOSFETs
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Semiconductor Science and Technology |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 17, 2002, 5, S. 487-492 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |