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Buchumschlag von A refined forward gated-diode method for separating front channel hot-carrier-stress induced front and back gate interface and oxide traps in SOI NMOSFETs
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A refined forward gated-diode method for separating front channel hot-carrier-stress induced front and back gate interface and oxide traps in SOI NMOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Semiconductor Science and Technology
Personen und Körperschaften: He, Jin, Zhang, Xing, Huang, Ru, Wang, Yangyuan
In: Semiconductor Science and Technology, 17, 2002, 5, S. 487-492
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: