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Lowered operation voltage in Pt/SBi2Ta2O9/HfO2/Si ferroelectric-gate field-effect transistors by oxynitriding Si
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Semiconductor Science and Technology |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 25, 2010, 5, S. 055005 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |