Lowered operation voltage in Pt/SBi2Ta2O9/HfO2/Si ferroelectric-gate field-effect transistors by oxynitriding Si

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In: Semiconductor Science and Technology, 25(2010), 5, S. 055005
Format: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: IOP Publishing
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ISSN: 0268-1242
1361-6641
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