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Buchumschlag von Lowered operation voltage in Pt/SBi2Ta2O9/HfO2/Si ferroelectric-gate field-effect transistors by oxynitriding Si
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Lowered operation voltage in Pt/SBi2Ta2O9/HfO2/Si ferroelectric-gate field-effect transistors by oxynitriding Si

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Semiconductor Science and Technology
Personen und Körperschaften: Horiuchi, Takeshi, Takahashi, Mitsue, Li, Qiu-Hong, Wang, Shouyu, Sakai, Shigeki
In: Semiconductor Science and Technology, 25, 2010, 5, S. 055005
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: