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Hybrid channel induced forming-free performance in nanocrystalline-Si:H/a-SiNx:H resistive switching memory
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Nanotechnology |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , |
In: | Nanotechnology, 30, 2019, 36, S. 365701 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |