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Buchumschlag von Hybrid channel induced forming-free performance in nanocrystalline-Si:H/a-SiNx:H resistive switching memory
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Hybrid channel induced forming-free performance in nanocrystalline-Si:H/a-SiNx:H resistive switching memory

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Nanotechnology
Personen und Körperschaften: Sun, Yang, Ma, Zhongyuan, Tan, Dingwen, Shen, Zixiao, You, Jiayang, Li, Wei, Xu, Ling, Chen, Kunji, Feng, Duan
In: Nanotechnology, 30, 2019, 36, S. 365701
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: