The effects of strain and composition on the conduction-band offset of direct band gap type-I GeSn/GeSnSi quantum dots for CMOS compatible mid-IR light source

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In: Semiconductor Science and Technology, 35(2020), 2, S. 025008
Format: E-Artikel
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: IOP Publishing
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ISSN: 0268-1242
1361-6641
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