Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Chinese Physics B
Personen und Körperschaften:	Ni, Yi-Qiang, He, Zhi-Yuan, Zhong, Jian, Yao, Yao, Yang, Fan, Xiang, Peng, Zhang, Bai-Jun, Liu, Yang
In:	Chinese Physics B, 22, 2013, 8, S. 088104
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy