In situ studies of epitaxial silicon growth by gas source molecular beam epitaxy

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In: Advanced Materials for Optics and Electronics, 7(1997), 5, S. 215 - 224
Format: E-Artikel
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: Wiley-Blackwell
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ISSN: 1057-9257
1099-0712
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