Controllable p‐to‐n Type Conductance Transition in Top‐Gated Graphene Field Effect Transistor by Interface Trap Engineering

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Advanced Electronic Materials
Personen und Körperschaften:	Peng, Songang, Jin, Zhi, Yao, Yao, Huang, Xinnan, Zhang, Dayong, Niu, Jiebin, Shi, Jingyuan, Zhang, Yanhui, Yu, Guanghui
In:	Advanced Electronic Materials, 6, 2020, 9
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	Wiley
Schlagwörter:	Electronic, Optical and Magnetic Materials