Modeling of carbon nanotube ISFETs with high‐ κ gate dielectrics for biosensing applications

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In: International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, (2019)
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht: Wiley
Schlagworte:
ISSN: 0894-3370
1099-1204
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