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Buchumschlag von Outstanding Performance as Cu Top Gate IGZO TFT With Large Trans‐Conductance Coefficient by Adopting Double‐Layered Al2O3/SiNx Gate Insulator
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Outstanding Performance as Cu Top Gate IGZO TFT With Large Trans‐Conductance Coefficient by Adopting Double‐Layered Al2O3/SiNx Gate Insulator

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: physica status solidi (a)
Personen und Körperschaften: Kim, Yujin, Lee, Kwang‐Heum, Mun, Geumbi, Park, Kyeongwoo, Park, Sang‐Hee Ko
In: physica status solidi (a), 214, 2017, 12
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Wiley
Schlagwörter: