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Outstanding Performance as Cu Top Gate IGZO TFT With Large Trans‐Conductance Coefficient by Adopting Double‐Layered Al2O3/SiNx Gate Insulator
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | physica status solidi (a) |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | physica status solidi (a), 214, 2017, 12 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Wiley
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Schlagwörter: |