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Fabrication of poly-Si TFT with silicided Schottky barrier source/drain, high-κ gate dielectric and metal gate
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Solid-State Electronics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Solid-State Electronics, 50, 2006, 2, S. 232-236 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Elsevier BV
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Schlagwörter: |