Fabrication of poly-Si TFT with silicided Schottky barrier source/drain, high-κ gate dielectric and metal gate

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Solid-State Electronics
Personen und Körperschaften:	Zhu, Shiyang, Singh, J., Zhu, Chunxiang, Du, A., Li, M.F.
In:	Solid-State Electronics, 50, 2006, 2, S. 232-236
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	Elsevier BV
Schlagwörter:	Materials Chemistry Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Electronic, Optical and Magnetic Materials