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Growth of Ge layers with high hole mobility on surface controlled AlAs by molecular beam epitaxy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Crystal Growth |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Crystal Growth, 201-202, 1999, S. 194-197 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Elsevier BV
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Schlagwörter: |