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Buchumschlag von Growth of Ge layers with high hole mobility on surface controlled AlAs by molecular beam epitaxy
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Growth of Ge layers with high hole mobility on surface controlled AlAs by molecular beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Crystal Growth
Personen und Körperschaften: Maeda, Takeshi, Tanaka, Hitoshi
In: Journal of Crystal Growth, 201-202, 1999, S. 194-197
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Elsevier BV
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