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Buchumschlag von Arsenic doping kinetics in silicon during gas source molecular beam epitaxy
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Arsenic doping kinetics in silicon during gas source molecular beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Surface Science
Personen und Körperschaften: Xie, M.-H., Zhang, J., Fernandez, J.M., Lees, A.K., Joyce, B.A.
In: Surface Science, 397, 1998, 1-3, S. 164-169
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Elsevier BV
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