Interfacial Defect Engineering on Electronic States of Two-Dimensional AlN/MoS2 Heterostructure

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	The Journal of Physical Chemistry C
Personen und Körperschaften:	Fang, Qinglong, Huang, Yuhong, Miao, Yaping, Xu, Kewei, Li, Yan, Ma, Fei
In:	The Journal of Physical Chemistry C, 121, 2017, 12, S. 6605-6613
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	American Chemical Society (ACS)
Schlagwörter:	Surfaces, Coatings and Films Physical and Theoretical Chemistry General Energy Electronic, Optical and Magnetic Materials