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Buchumschlag von Improved Growth Behavior of Atomic-Layer-Deposited High-k Dielectrics on Multilayer MoS2 by Oxygen Plasma Pretreatment
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Improved Growth Behavior of Atomic-Layer-Deposited High-k Dielectrics on Multilayer MoS2 by Oxygen Plasma Pretreatment

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: ACS Applied Materials & Interfaces
Personen und Körperschaften: Yang, Jaehyun, Kim, Sunkook, Choi, Woong, Park, Sang Han, Jung, Youngkwon, Cho, Mann-Ho, Kim, Hyoungsub
In: ACS Applied Materials & Interfaces, 5, 2013, 11, S. 4739-4744
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
American Chemical Society (ACS)
Schlagwörter: