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Improved Growth Behavior of Atomic-Layer-Deposited High-k Dielectrics on Multilayer MoS2 by Oxygen Plasma Pretreatment
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | ACS Applied Materials & Interfaces |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , |
In: | ACS Applied Materials & Interfaces, 5, 2013, 11, S. 4739-4744 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
American Chemical Society (ACS)
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Schlagwörter: |