Eintrag weiter verarbeiten
Buchumschlag von Logic gates constructed on CdS nanobelt field-effect transistors with high-κ HfO2 top-gate dielectrics
Verfügbar über Online-Ressource

Logic gates constructed on CdS nanobelt field-effect transistors with high-κ HfO2 top-gate dielectrics

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Materials Chemistry
Personen und Körperschaften: Wu, P. C., Ye, Y., Liu, C., Ma, R. M., Sun, T., Dai, L.
In: Journal of Materials Chemistry, 19, 2009, 39, S. 7296
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
Royal Society of Chemistry (RSC)
Schlagwörter: