Eintrag weiter verarbeiten
Buchumschlag von Controlled Formation of Misfit Dislocations for Heteroepitaxial Growth of GaAs on (100) Si by Migration-Enhanced Epitaxy
Verfügbar über Online-Ressource

Controlled Formation of Misfit Dislocations for Heteroepitaxial Growth of GaAs on (100) Si by Migration-Enhanced Epitaxy

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Stolz, Wolfgang, Horikoshi, Yoshiji, Naganuma, Mitsuru
In: Japanese Journal of Applied Physics, 27, 1988, 6A, S. L1140
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: