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Controlled Formation of Misfit Dislocations for Heteroepitaxial Growth of GaAs on (100) Si by Migration-Enhanced Epitaxy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Japanese Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Japanese Journal of Applied Physics, 27, 1988, 6A, S. L1140 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |