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Low Threshold GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers with Periodic Wire Active Regions Fabricated by CH 4/H 2 Reactive Ion Etching
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Japanese Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Japanese Journal of Applied Physics, 38, 1999, 11B, S. L1323 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |