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Buchumschlag von Low Threshold GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers  with Periodic Wire Active Regions Fabricated by CH 4/H 2 Reactive Ion Etching
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Low Threshold GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers with Periodic Wire Active Regions Fabricated by CH 4/H 2 Reactive Ion Etching

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Nobuhiro Nunoya, Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Madoka Nakamura, Hideo Yasumoto, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai
In: Japanese Journal of Applied Physics, 38, 1999, 11B, S. L1323
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: