Radio-Frequency Small-Signal and Noise Modeling for Silicon-on-Insulator Dynamic Threshold Voltage Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	Wang, Sheng-Chun, Su, Pin, Chen, Kun-Ming, Huang, Sheng-Yi, Hung, Cheng-Chou, Huang, Guo-Wei
In:	Japanese Journal of Applied Physics, 48, 2009, 4S, S. 04C041
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy General Engineering