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Radio-Frequency Small-Signal and Noise Modeling for Silicon-on-Insulator Dynamic Threshold Voltage Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Japanese Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , |
In: | Japanese Journal of Applied Physics, 48, 2009, 4S, S. 04C041 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |