Comparison of Two Types of Recessed-Gate Normally-Off AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	He, Zhiyuan, Li, Jialin, Wen, Yuhua, Shen, Zhen, Yao, Yao, Yang, Fan, Ni, Yiqiang, Wu, Zhisheng, Zhang, Baijun, Liu, Yang
In:	Japanese Journal of Applied Physics, 51, 2012, 5R, S. 054103
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy General Engineering