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Comparison of Two Types of Recessed-Gate Normally-Off AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Japanese Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Japanese Journal of Applied Physics, 51, 2012, 5R, S. 054103 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |