Native point defects in yttria and relevance to its use as a high-dielectric-constant gate oxide material: First-principles study

1. Verfasser:
Weitere Verfasser: ; ; ;
In: Physical Review B, 73(2006), 10
Format: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht: American Physical Society (APS)
Schlagworte:
ISSN: 1098-0121
1550-235X
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online