Real Time Observation of Reflectance Anisotropy and Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations During Gas-Source Molecular-Beam-Epitaxy Growth of Si and SiGe on Si(001)

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In: Physical Review Letters, 74(1995), 16, S. 3213 - 3216
Format: E-Artikel
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht: American Physical Society (APS)
Schlagworte:
ISSN: 0031-9007
1079-7114
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