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Buchumschlag von Real Time Observation of Reflectance Anisotropy and Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations During Gas-Source Molecular-Beam-Epitaxy Growth of Si and SiGe on Si(001)
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Real Time Observation of Reflectance Anisotropy and Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations During Gas-Source Molecular-Beam-Epitaxy Growth of Si and SiG...

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Physical Review Letters
Personen und Körperschaften: Turner, A. R., Pemble, M. E., Fernández, J. M., Joyce, B. A., Zhang, J., Taylor, A. G.
In: Physical Review Letters, 74, 1995, 16, S. 3213-3216
Medientyp: E-Article
Sprache: Englisch
veröffentlicht:
American Physical Society (APS)
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