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X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Crystallography |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Journal of Applied Crystallography, 46, 2013, 4, S. 868-873 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
International Union of Crystallography (IUCr)
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Schlagwörter: |