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Buchumschlag von X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates
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X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Journal of Applied Crystallography
Personen und Körperschaften: Zaumseil, Peter, Kozlowski, Grzegorz, Yamamoto, Yuji, Schubert, Markus Andreas, Schroeder, Thomas
In: Journal of Applied Crystallography, 46, 2013, 4, S. 868-873
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
International Union of Crystallography (IUCr)
Schlagwörter: