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Buchumschlag von Electrical Characterization of Integrated 2-Input TTL NAND Gate at Elevated Temperature, Fabricated in Bipolar SiС-Technology
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Electrical Characterization of Integrated 2-Input TTL NAND Gate at Elevated Temperature, Fabricated in Bipolar SiС-Technology

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Materials Science Forum
Personen und Körperschaften: Shakir, Muhammad, Elahipanah, Hossein, Hedayati, Raheleh, Zetterling, Carl Mikael
In: Materials Science Forum, 924, 2018, S. 958-961
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
Trans Tech Publications, Ltd.
Schlagwörter: