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Electrical Characterization of Integrated 2-Input TTL NAND Gate at Elevated Temperature, Fabricated in Bipolar SiС-Technology
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Materials Science Forum |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | Materials Science Forum, 924, 2018, S. 958-961 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Trans Tech Publications, Ltd.
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Schlagwörter: |