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Buchumschlag von Fabrication of high-k/metal-gate MoS2field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching
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Fabrication of high-k/metal-gate MoS2field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching

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Bibliographische Detailangaben
Zeitschriftentitel: Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften: Ninomiya, Naruki, Mori, Takahiro, Uchida, Noriyuki, Watanabe, Eiichiro, Tsuya, Daiju, Moriyama, Satoshi, Tanaka, Masatoshi, Ando, Atsushi
In: Japanese Journal of Applied Physics, 54, 2015, 4, S. 046502
Medientyp: E-Article
Sprache: Unbestimmt
veröffentlicht:
IOP Publishing
Schlagwörter: