Eintrag weiter verarbeiten
Fabrication of high-k/metal-gate MoS2field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Japanese Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , |
In: | Japanese Journal of Applied Physics, 54, 2015, 4, S. 046502 |
Medientyp: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
|
Schlagwörter: |