Enhanced performance of GeSn source-pocket tunnel field-effect transistors for low-power applications

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	Liu, Lei, Liang, Renrong, Wang, Jing, Xu, Jun
In:	Japanese Journal of Applied Physics, 55, 2016, 7, S. 071201
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy General Engineering