Analytical drain current model for long-channel gate-all-around negative capacitance transistors with a metal–ferroelectric–insulator–semiconductor structure

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Bibliographische Detailangaben

Zeitschriftentitel:	Japanese Journal of Applied Physics
Personen und Körperschaften:	Jiang, Chunsheng, Liang, Renrong, Wang, Jing, Xu, Jun
In:	Japanese Journal of Applied Physics, 55, 2016, 2, S. 024201
Medientyp:	E-Article
Sprache:	Unbestimmt
veröffentlicht:	IOP Publishing
Schlagwörter:	General Physics and Astronomy General Engineering