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Dynamic changes in reflectance anisotropy from the Si(001) surface during gas-source molecular-beam epitaxy

von Zhang, J.; Taylor, A. G.; Lees, A. K. ; et al.
veröffentlicht In: Physical Review B 1996

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Reflectance anisotropy from non-III–V systems: Si and SiGe growth on (001) Si and adsorbate-induced reconstruction...

von Pemble, M. E.; Shukla, N.; Turner, A. R. ; et al.
veröffentlicht In: Physica Status Solidi (a) 1995

Artikel

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